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[CS8916-0052-0001] 抛光剂及基片的抛光方法 [摘要] 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛
光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛
光剂,上述粒子是下列之一:(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的,密
度为3~6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1~300纳米的铈化合物,
(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法,活用抛光剂中粒子
的化学作用并且尽量减小机械作用,藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少
和抛光速度提高。
[CS8916-0032-0002] 包含粒状聚合物和交联聚合物粘结剂的抛光垫 [摘要] 描述了一种抛光垫,其包括(a)选自粒状热塑性聚合物(20)(例如粒状热塑性聚氨酯)、粒状交联聚合物(例如粒状交联聚氨酯和/或粒状交联聚环氧化物)及其混合物的粒状聚合物;和(b)交联的有机聚合物粘结剂(26)(例如交联的聚氨酯粘结剂和/或交联的聚环氧化物粘结剂),它将粒状聚合物(20)粘结在一起。粒状聚合物(20)和交联的有机聚合物粘结剂(26)基本上均匀分布在整个抛光垫(6)上,基于所述抛光垫(6)的总体积计,抛光垫(6)具有2%体积至50%体积的孔体积百分率。还描述了抛光垫(6)组件。
[CS8916-0035-0003] 一种不锈钢制品的化学抛光剂及其工艺 |