一种碳纳米管阴极包括衬底、第一层、第二层和碳纳米管。衬底由导 体制成。第一层由氧化铝制成并且形成在衬底上。第二层形成在第一层上， 并且由充当碳纳米管形成催化剂的金属材料制成。碳纳米管从金属材料长 出。还公开了一种制造碳纳米管阴极的方法。
  [CS22651-0597-0004] 生产碳纳米管的方法和设备
[摘要] 本发明涉及一种生产碳纳米管的方法和设备，更具体地，涉及一种通过 将包括气态过渡金属催化剂母体化合物和气态碳化合物的反应气体温度均匀 升到碳素溶解损失反应温度，来生产具有均匀性能和高纯度碳纳米管的方法 和设备，其中反应气体盛装在密闭反应空间内。根据本发明制备碳纳米管的 方法包括以下步骤：准备包括实质上密闭和可压缩反应空间的反应容器；将 含有气态碳化合物和气态过渡金属催化剂母体化合物的碳纳米管反应气体供 给反应空间；压缩反应空间内的反应气体，直到供到反应空间的碳纳米管反 应气体的温度达到等于或高于碳素溶解损失反应的最小开始温度和过渡金属 催化剂母体化合物热分解的温度，由此来生成具有悬浮其中的碳纳米管产物 的悬浮气体。
  [CS22651-0362-0005] 以Ni/Al催化剂化学气相沉积制备碳纳米管和碳洋葱的方法
[摘要] 本发明公开了一种以Ni/Al催化剂化学气相沉积制备碳纳米管和碳洋葱的方法，所得 碳纳米管与碳洋葱质量好、纯度高、产量大。本发明首先用一定重量比的六水硝酸镍和铝 粉，以氢氧化钠或氨水作沉淀剂制得相应重量比份的Ni/Al催化剂前驱体。在进行催化裂 解反应前，先通入氢气将催化剂前驱体还原为Ni/Al催化剂；然后通入甲烷或乙炔等气体 作为碳源进行催化裂解反应，反应1-4小时。
  [CS22651-0716-0006] 单层碳纳米管的制造方法
[摘要] 一种单层碳纳米管的制造方法，适于制造高纯度的单层碳纳米管。此单层 碳纳米管的制造方法包括下列步骤。首先，将含有原料烃、茂金属及硫化合物 的原料混合物以烟雾状导出到以1～50m/sec的流通线速度而流通有氢气的导 出区域中，其中，对于上述氢气及上述原料混合物的合计质量而言，上述原料 烃的浓度为0.01～2.0质量％，上述茂金属的浓度为0.001～0.2质量％，且上述 硫化合物的浓度对于上述茂金属的质量比为1/8～4倍的比例。接着，使上述氢 气及所导出的上述原料混合物流通于设定为800～1,000℃的反应区域。
  [CS22651-0262-0007] 纳米二氧化锡颗粒原位包裹碳纳米管复合粉体及制备方法
[摘要] 本发明提供了一种纳米二氧化锡颗粒原位包裹/碳纳米管复合粉体及制备方 法。其特征在于利用蒸汽相法制备了包裹完全的碳纳米管复合粉体。在蒸汽相 反应釜中，固相组成为含有碳纳米管和SnCl₄的N，N′-二甲基甲酰胺溶液或水溶 液，液相为纯蒸馏水或氨水，在90-120℃水热处理，利用液相中的水或氨气与 水的混和气体不断转移到固相中从而与固相中的SnCl₄发生反应，实现二氧化 锡在碳纳米管上的包裹。制备过程简单，所得复合粉体的结构特征是纳米二氧 化锡颗粒均匀分布在碳纳米管的管壁上，也有少部分填充到碳纳米管管腔中， 可实现纳米二氧化锡对碳纳米管的完全包覆。本方法合成的复合材料是在气 敏、催化，导电方面有一定的应用前景。
  [CS22651-0206-0008] 纳米碳管的制造装置和方法
[摘要] 一种纳米碳管制造装置包括：电极头相对的至少两个电极和一个在两个电极之间施加电压以便在两个电极之间的放电区域产生放电等离子体的电源。通过采用多孔碳质材料作为两个电极中的至少一个，就可提供一种可以较低的成本制造便宜且具有较高纯度的纳米碳管的纳米碳管制造装置及其制造方法。
  [CS22651-0376-0009] 一种离子注入表面改性控制碳纳米管生长的方法
[摘要] 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种离子注入表面改性控制碳 纳米管生长的方法。离子注入所用的粒子源为惰性气体。制备时，首先在洁净的 硅基底上覆盖适当的掩膜，置于离子注入装置中，调节注入粒子种类、注入能量 和注入粒子数后进行离子注入。随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式 炉中，利用二茂铁和二甲苯作为反应物，通过化学气相沉积法制备碳纳米管。此 方法可在离子注入改性的硅基底上获得明显选择性生长的碳纳米管，改变硅基底 的部分表面形态，达到控制碳纳米管二维分布生长的目的。此方法在制造纳米电 子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
  [CS22651-0621-0010] 一种纳米二氧化硅颗粒包覆碳纳米管复合粉体的制备方法
[摘要] 本发明提供了一种纳米二氧化硅颗粒包覆碳纳米管(CNTs)复合粉体的 制备方法。主要特征是利用端基为氨基、氯、环氧等活性基团的倍半硅氧烷 对CNTs和四烷氧基硅的桥联作用以及十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、 十六烷基三甲基溴化铵等表面活性剂对CNTs的分散作用，通过四烷氧基硅 的水解，制备了SiO₂均匀包覆CNTs的复合粉体。制备过程首先将CNTs与 硅烷偶联剂和分散剂充分作用，接着加入到水解的四烷氧基硅溶液中，然后 通过滴加氨水溶液控制pH，最终形成复合粉体。在优化条件下，包覆层厚 度约为15-20nm。不需要对CNTs进行酸化、氧化等预处理，对CNTs本身 的性能影响很小，是制备CNTs/SiO₂复合粉体的有效途径，同时具有工艺简 单、生产成本低等特点。
  [CS22651-0283-0011] 一种提高碳纳米管电化学储锂容量的方法
  [CS22651-0590-0012] 一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构及其制备方法
  [CS22651-0613-0013] 碳纳米管/丙烯腈基碳纤维复合碳纤维纸的制备和用途
  [CS22651-0749-0014] 一种提高碳纳米管化学活性的方法
  [CS22651-0140-0015] 利用碳纳米管处理放射性溶液、工业生活污水的方法
  [CS22651-0265-0016] 一种单壁碳纳米管针尖及其制备方法

  [CS22651-0689-0017] 碳纳米管复合材料及其制备方法
  [CS22651-0165-0018] 一种碳纳米管绳及其制造方法
  [CS22651-0436-0019] 氨基化的单壁碳纳米管及其制备方法
  [CS22651-0726-0020] 形成碳纳米管结构的方法及用其制造场发射器件的方法
  [CS22651-0252-0021] 超支化聚对氯甲基苯乙烯接枝的碳纳米管及其制备方法
  [CS22651-0171-0022] 超支化聚合物接枝的碳纳米管及其制备方法
  [CS22651-0020-0023] 一种采用温控电弧炉批量生产单壁碳纳米管的方法
  [CS22651-0124-0024] 一种碳纳米管表面改性及其在环氧树脂中的分散方法
  [CS22651-0255-0025] 碳纳米管的制造设备和方法
  [CS22651-0266-0026] 碳纳米管、电子发射源、电子发射装置和其制造方法
  [CS22651-0238-0027] 一种聚合物薄层包覆碳纳米管及其制备方法
  [CS22651-0315-0028] 由碳纳米管和离子性液体构成的凝胶状组合物及其制造方法
  [CS22651-0093-0029] 一种基于宏观长多壁碳纳米管束的正光控电导器件
  [CS22651-0743-0030] 一种功能化碳纳米管的制备方法及其应用
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