本实用新型涉及一种用于检查硅单晶棒上切口位置的工具，它包括桓鲈不诽?状的基架(3)、切口对准装置(10)、圆环形角度盘(4)，切口对准装置(10) 与圆环体状的基架(3)连成一体，在圆环体状的基架(3)上的圆环状上表面上， 有一个圆环形凹槽，在圆环形凹槽内安装有可在圆环形凹槽内转动的角度盘(4)， 本工具结构简单，使用方便，精度高，精度可达1/4度。
  [CS21786-0008-0004] 制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法
[摘要] 本发明提出了一种制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒 的方法，是在溶液中，用温度控制生成的ZnO晶粒大小，以直径为几十纳米的 单分散ZnO晶粒为种子，通过化学反应在其上外延地生长Zn_1-xTM_xO，使得磁性金 属离子均匀掺杂到纤锌矿结构的ZnO晶格中去，从而形成ZnO基稀磁半导体纳 米棒的材料。 本发明通过控制反应剂的配比，在一定范围内可控制ZnO晶体中掺杂离子 的浓度；通过控制反应温度来控制生成纳米棒的形貌和结构，使之具有与稀磁 半导体相关的物理性能。该方法具有制备成本低，操作简便易行，可重复性高 等优点。
  [CS21786-0007-0005] 用于制造单晶棒的设备和方法
[摘要] 一种用于由多晶馈送棒(3)制造单晶棒(2)的设备(1)，所述 设备(1)包括一个封闭的腔室(4)，馈送棒(3)位于该腔室(4)中， 所述腔室(4)包括一个围绕馈送棒(3)设置的环形的能量供应装置 (5)，用于使该棒的一端(23)熔融，用以制备单晶体，所述设备包 括用于馈送棒(3)的轴向移动的第一移动装置(6)、和用于馈送棒(3) 和环形能量供应装置(5)之间的相对旋转运动的第二移动装置(7)。 该设备(1)包括：一个监视系统(8)，用于记录馈送棒(3)的表面 (9)和与能量供应装置(5)相关的环形径向向内的参照面之间的距 离；以及一个用于调整距离的第三移动装置(10)。因此，实现了能够 用于不规则馈送棒的设备和方法，所述不规则馈送棒呈现出除理想的 圆柱形形状之外的其它形状，所述设备和方法还能够用于具有不规则 表面的弯曲的圆柱形和椭圆形的棒。
  [CS21786-0006-0006] α-MnO2单晶纳米棒的制备方法
[摘要] 本发明涉及二氧化锰纳米棒的制备技术，具体地说是一种小直径α-MnO₂ 单晶纳米棒的制备方法。采用硫酸溶液中加入高锰酸钾，在加热的条件下使硫 酸和高锰酸钾反应，反应温度为70-95℃。二氧化锰纳米棒的直径可通过调节 硫酸溶液的浓度，高锰酸钾的加入量和温度等工艺参数得到控制。本发明具有 所需要的化学药品种类少，工艺简单、操作方便易于控制，不需要昂贵的设备。 二氧化锰是单晶α-MnO₂；二氧化锰纳米棒的直径小，长度短且比较均匀，比表 面积高。本发明所制备的产品具有广阔的应用前景，可用于催化剂，离子筛、 锌锰电池和锂离子电池中的电极材料等。
  [CS21786-0011-0007] 基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法
[摘要] 本发明公开的基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法，首先对晶 体生长过程中的图像进行同步采集，然后对图像信息进行预处理，再采用 Hough变换对图像中的晶体生长信息进行检测，得到直径、圆心X坐标和圆心 Y坐标三个参数，最后对参数空间曲线交点进行均值聚类操作，得到准确的直 径测量值。本发明的方法，采用单只摄像头同时实现了引晶和等径阶段的直 径检测，检测精度高，速度快。
  [CS21786-0010-0008] 单晶钙钛矿型复合氧化物La0.6Sr0.4CoO
[摘要] 单晶钙钛矿型复合氧化物La_0.6Sr_0.4CoO₃纳米线和纳米棒制备方法属于催 化领域。采用传统合成方法难以制得纳米线状和纳米棒状单相La_0.6Sr_0.4CoO₃。 本发明的方法是通过超声波分散处理，水热制得La_0.6Sr_0.4CoO₃前驱体，然后 在不同温度下灼烧得到单晶钙钛矿型复合氧化物La_0.6Sr_0.4CoO₃纳米线或纳米 棒。本发明所制得样品为单相单晶钙钛矿型复合氧化物La_0.6Sr_0.4CoO₃纳米线 和纳米棒，其中纳米线长为600～3500nm，直径为15～35nm，纳米棒长为 120～750nm，直径为20～300nm，在多相催化、固体燃料电池、固体电阻器、 固体电解质、固体传感器、高温加热材料领域中具有良好的应用潜能。
  [CS21786-0001-0009] 一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器
[摘要] 本发明涉及一种生产单晶硅棒时，提高掺杂氧的方法及装置。为一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器。可用于增加直拉法硅单晶中的氧含量。本法是用石英制的增氧器置于石英坩埚的底部，在增氧器上加入多晶硅，在加热熔化多晶硅时，增氧器与石英坩埚熔接在一起，增氧器在整个硅单晶拉制过程中，保持在硅熔体中。所说的增氧器为石英制的圆台状体、圆柱状体、圆形环状体其中的一种。本法增加了直拉硅单晶中的氧含量，不破坏氧在沿晶体直径方向的分布，不产生过度的晶体缺陷。多晶硅可为块状，也可以是小颗粒状。增氧器结构简单，易于制作，增加含氧量的效果显著。
  [CS21786-0014-0010] 单晶硅棒切方滚磨机床
[摘要] 本实用新型提供一种集切方加工-滚磨外圆加工-磨方加工三种加 工方式于一体的单晶硅棒切方滚磨机床，该机床的床头装置包括：驱动 部；电磁离合器；以及传动部。所述传动部分别与所述驱动部和所述床 头装置的主轴连接，并将所述驱动部的驱动力传递给所述床头装置的主 轴。通过对床头装置的结构进行改进，可以消除床头箱主轴的装配间隙， 增加单晶硅棒的定位刚性，从而可以使用滚磨装置对单晶硅棒进行磨方 加工，以提高使单晶硅棒的尺寸精度和表面光洁度。由此，可以有效防 止在切薄片时由于尺寸精度和表面光洁度不高而引起的崩边现象，使产 品的成品率和生产效率提高，增加了经济效益。
  [CS21786-0002-0011] 区熔单晶炉单晶硅棒夹持机构
  [CS21786-0003-0012] 氧化锌棒状单晶纳米探针的制备方法
.[CS21786-0005-0013] 四方相钙钛矿锆钛酸铅单晶纳米棒的制备方法
.[CS21786-0012-0014] 用于减少硅单晶棒截断崩边的工具
.[CS21786-0015-0015] 单晶硅棒切方滚磨机床
.[CS21786-K0007-0016] 镍基单晶合金切口圆棒试样三维晶体弹塑性应力场的数值模拟-----[来源：材料科学与工程学报 日期：2004年2期]

.[CS21786-K0001-0017] 磁性Fe3O4六方片状晶体和单晶纳米棒的水热合成-----[来源：人工晶体学报 日期：2005年5期]
  [CS21786-K0002-0018] 单分散棒状SnO2纳米单晶的制备及表征-----[来源：化工新型材料 日期：2006年9期]
  [CS21786-K0004-0019] 聚焦电子束辐照原位制备单晶纳米棒-----[来源：电子显微学报 日期：2006年B08期]
  [CS21786-K0009-0020] 水热共还原法合成一维Sb2Se3纳米单晶带和单晶棒-----[来源：机械工程材料 日期：2005年7期]
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  [CS21786-K0010-0022] 钛酸铅单晶纳米棒的生长机制和声子特性研究-----[来源：光散射学报 日期：2006年1期]
  [CS21786-K0003-0023] 高度取向ZnO单晶亚微米棒阵列的制备与表征-----[来源：物理化学学报 日期：2003年5期]
  [CS21786-K0008-0024] 热型连铸单晶铜工艺参数对铸棒表面质量的影响-----[来源：铸造 日期：2002年9期]
  [CS21786-K0006-0025] 镍基单晶合金DD3切口圆棒试样的蠕变响应有限元分析-----[来源：材料工程 日期：2005年2期]
  [CS21786-K0011-0026] 氧化铅纳米棒的非晶——单晶转变-----[来源：电子显微学报 日期：2005年4期]